RD3P050SNTL1, N-Channel MOSFET, 5 A, 100 V, 3-Pin DPAK RD3P050SNTL1
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RD3P050SNTL1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| другие названия товара №: | RD3P050SN |
| factory pack quantity | 2500 |
| fall time | 15 ns |
| id - continuous drain current | 5 A |
| id - непрерывный ток утечки: | 5 A |
| канальный режим: | Enhancement |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| количество каналов: | 1 Channel |
| конфигурация: | Single |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | DPAK-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | RD3P050SN |
| pd - power dissipation | 15 W |
| pd - рассеивание мощности: | 15 W |
| подкатегория: | MOSFETs |
| полярность транзистора: | N-Channel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| производитель: | ROHM Semiconductor |
| qg - gate charge | 14 nC |
| qg - заряд затвора: | 14 nC |
| размер фабричной упаковки: | 2500 |
| rds on - drain-source resistance | 135 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 135 mOhms |
| rise time | 15 ns |
| серия: | RD3P |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология: | Si |
| типичное время задержки при включении: | 10 ns |
| типичное время задержки выключения: | 45 ns |
| тип продукта: | MOSFET |
| тип транзистора: | 1 N-Channel |
| торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| typical turn-off delay time | 45 ns |
| typical turn-on delay time | 10 ns |
| упаковка / блок: | DPAK-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 100 V |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 2.5 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.5 V |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| время нарастания: | 15 ns |
| время спада: | 15 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26