RD3L150SNFRATL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK);TO-252
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.028Ом
id - непрерывный ток утечки15 A
520
+
Бонус: 10.4 !
Бонусная программа
Итого: 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK);TO-252
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.028Ом
id - непрерывный ток утечки15 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.7 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока15А
pd - рассеивание мощности20 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation20Вт
qg - заряд затвора18 nC
рассеиваемая мощность20Вт
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток40 mOhms
серияRD3L
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.028Ом
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
технологияSi
типичное время задержки при включении10 ns
типичное время задержки выключения45 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания30 ns
время спада15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль