RD3L050SNFRATL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.078Ом
id - непрерывный ток утечки5 A
520
+
Бонус: 10.4 !
Бонусная программа
Итого: 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.078Ом
id - непрерывный ток утечки5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3.5 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока
pd - рассеивание мощности15 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation15Вт
qg - заряд затвора8 nC
рассеиваемая мощность15Вт
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток109 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.078Ом
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения26 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания17 ns
время спада8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль