RD3L050SNFRATL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 5 А, 0.078 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount (RD3L050SNFRATL) — купить | ООО «Телеметрия» 
Валюта:RUB
RUBUSDEURCNY

+7 929 433 4445 B2B Заявки на email

telemetrya@yandex.ru

0
Смотрели
Войти
0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!

RD3L050SNFRATL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 5 А, 0.078 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RD3L050SNFRATL
RD3L050SNFRATL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 5 А, 0.078 Ом, TO-252 (DPAK), Surface MountRD3L050SNFRATL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 5 А, 0.078 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
Подробное описание
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.078Ом
id - непрерывный ток утечки5 A
Все характеристики
390 ₽
- +
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390 ₽
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.078Ом
id - непрерывный ток утечки5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3.5 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока5А
pd - рассеивание мощности15 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs3В
power dissipation15Вт
qg - заряд затвора8 nC
рассеиваемая мощность15Вт
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток109 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.078Ом
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения26 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.45
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания17 ns
время спада8 ns
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
  • Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
    Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
    ИНН 7536172565
    КПП 381201001
    ОГРН 1187536004215
    Расчетный счет 40702810010000426573
    Банк АО «Тинькофф Банк»
    БИК банка 044525974
    ИНН банка 7710140679
    Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
    Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

    • Кнопки
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
0Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0Избранное
Товар добавлен в список избранных
Профиль