RD3H160SPTL1, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 45 В, 16 А, 0.035 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RD3H160SPTL1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeP Channel
configurationSingle
410
+
Бонус: 8.2 !
Бонусная программа
Итого: 410
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeP Channel
configurationSingle
drain source on state resistance0.035Ом
factory pack quantity2500
fall time50 ns
id - continuous drain current16 A
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
manufacturerROHM Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение истока-стока vds45В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока16А
number of channels1 Channel
package / caseDPAK-3
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesRD3H160SP
pd - power dissipation20 W
полярность транзистораP Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation20Вт
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge16 nC
рассеиваемая мощность20Вт
rds on - drain-source resistance35 mOhms
rise time22 ns
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.035Ом
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typical turn-off delay time90 ns
typical turn-on delay time13 ns
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - drain-source breakdown voltage45 V
вес, г0.01
vgs - gate-source voltage10 V
vgs th - gate-source threshold voltage3 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль