RCJ330N25TL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Channel Mosfet 250V, 33A, 10V gate drive
Вес и габариты
другие названия товара №RCJ330N25
id - непрерывный ток утечки33 A
канальный режимEnhancement
980
+
Бонус: 19.6 !
Бонусная программа
Итого: 980
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Channel Mosfet 250V, 33A, 10V gate drive
Вес и габариты
другие названия товара №RCJ330N25
id - непрерывный ток утечки33 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности211 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора80 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток77 mOhms
серияRCJ330N25
технологияSi
типичное время задержки при включении50 ns
типичное время задержки выключения120 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
вес, г2.2
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания200 ns
время спада140 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль