R8001CND3FRATL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V N-CH 1A POWER
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки1 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
820
+
Бонус: 16.4 !
Бонусная программа
Итого: 820
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V N-CH 1A POWER
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки1 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
максимальная рабочая температура+ 150 C
pd - рассеивание мощности36 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора7.2 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток8.7 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения33 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-252-3/2
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания21 ns
время спада137 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль