R6520ENJTL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V N-CH 20A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
1 940
+
Бонус: 38.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 940
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V N-CH 20A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности231 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора61 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток205 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении30 ns
типичное время задержки выключения155 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания50 ns
время спада60 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль