Name: R6509ENJTL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 9 А, 0.53 Ом, TO-263S, Surface Mount
SKU: R6509ENJTL

МОП-транзистор 650V N-CH 9A POWER МОП-транзистор

Подробное описание

440 ₽

– +

Бонус: 8.8 !

Бонусная программа

Итого: 440 ₽

Купить

МОП-транзистор 650V N-CH 9A POWER МОП-транзистор

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	9 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	94 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	24 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	585 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	20 ns
типичное время задержки выключения	70 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка / блок	TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
вес, г	0.01
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	30 ns
время спада	25 ns

Отзывов нет

Кнопки