R6507ENJTL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 7 А, 0.605 Ом, TO-263S, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: R6507ENJTL
МОП-транзистор 650V N-CH 7A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки7 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
410
+
Бонус: 8.2 !
Бонусная программа
Итого: 410
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 650V N-CH 7A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки7 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности78 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора20 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток665 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении18 ns
типичное время задержки выключения65 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г0.01
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания25 ns
время спада40 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль