R6012JNXC7G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V N-CH 12A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки12 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
1 230
+
Бонус: 24.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V N-CH 12A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки12 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности60 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора28 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток390 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении23 ns
типичное время задержки выключения44 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания17 ns
время спада15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль