R6011KNJTL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 600V 11A Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №R6011KNJ
id - непрерывный ток утечки11 A
канальный режимEnhancement
790
+
Бонус: 15.8 !
Бонусная программа
Итого: 790
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 600V 11A Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №R6011KNJ
id - непрерывный ток утечки11 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.2.9 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности124 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора22 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток340 mOhms
серияSuper Junction-MOS KN
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения40 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г2.2
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания25 ns
время спада20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль