Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 600V 9A Si МОП-транзистор

Подробное описание

660 ₽

– +

Бонус: 13.2 !

Бонусная программа

Итого: 660 ₽

Купить

Вес и габариты
другие названия товара №	R6009KNJ
id - непрерывный ток утечки	9 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	2.3 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	94 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	16.5 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	500 mOhms
серия	Super Junction-MOS KN
технология	Si
типичное время задержки при включении	20 ns
типичное время задержки выключения	37 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка / блок	TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	2.2
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	33 ns
время спада	28 ns

Отзывов нет

Кнопки

R6009KNJTL