R6009ENJTL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №R6009ENJ
id - непрерывный ток утечки9 A
канальный режимEnhancement
990
+
Бонус: 19.8 !
Бонусная программа
Итого: 990
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №R6009ENJ
id - непрерывный ток утечки9 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности94 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора23 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток500 mOhms
серияSuper Junction-MOS EN
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения75 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г2.2
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания35 ns
время спада30 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль