R6006KND3TL1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V N-CH 6A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
730
+
Бонус: 14.6 !
Бонусная программа
Итого: 730
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V N-CH 6A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности70 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора12 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток830 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении17 ns
типичное время задержки выключения30 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания22 ns
время спада30 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль