R6006KND3TL1, Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:R6006KND3TL1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 600V N-CH 6A POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки
6 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
70 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
12 nC
размер фабричной упаковки
2500
rds вкл - сопротивление сток-исток
830 mOhms
технология
Si
типичное время задержки при включении
17 ns
типичное время задержки выключения
30 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ROHM Semiconductor
упаковка / блок
TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.5 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
22 ns
время спада
30 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26