Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 600V 4A Si МОП-транзистор

Подробное описание

670 ₽

– +

Бонус: 13.4 !

Бонусная программа

Итого: 670 ₽

Купить

Вес и габариты
другие названия товара №	R6004KNJ
id - непрерывный ток утечки	4 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	1.5 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	58 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	10.2 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	900 mOhms
серия	Super Junction-MOS KN
технология	Si
типичное время задержки при включении	15 ns
типичное время задержки выключения	30 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка / блок	TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	2.2
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	10 ns
время спада	25 ns

Отзывов нет

Кнопки

R6004KNJTL