R5009FNX

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 500V 9A (Tc) 50W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM
Вес и габариты
base product numberR5009 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c9A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
1 180
+
Бонус: 23.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 500V 9A (Tc) 50W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM
Вес и габариты
base product numberR5009 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c9A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
другие названия товара №R5009FNX
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs18nC @ 10V
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки9 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds630pF @ 25V
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageBulk
package / caseTO-220-3 Full Pack
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)50W (Tc)
размер фабричной упаковки500
rds on (max) @ id, vgs840mOhm @ 4.5A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток840 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияR5009FNX
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageTO-220FM
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 1mA
вид монтажаThrough Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль