QS6M4TR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N+P 30 20V 1.5A TSMT6
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Dual |
| длина | 2.9 mm |
| другие названия товара № | QS6M4 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 18 ns, 12 ns |
| Высота | 0.85 мм |
| id - continuous drain current | 1.5 A |
| id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 2 Channel |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 2 Channel |
| package / case | SOT-457T-6 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | QS6M4 |
| pd - power dissipation | 1.25 W |
| pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| product | MOSFET Small Signal |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 260 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| rise time | 18 ns, 12 ns |
| series | QS6M4 |
| серия | QS6M4 |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 7 ns, 10 ns |
| типичное время задержки выключения | 15 ns, 45 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | N-Channel, P-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Тип | MOSFET |
| type | MOSFET |
| typical turn-off delay time | 15 ns, 45 ns |
| typical turn-on delay time | 7 ns, 10 ns |
| упаковка / блок | SOT-457T-6 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30 V, 20 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V, 20 V |
| вес, г | 0.014 |
| vgs - gate-source voltage | 12 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 18 ns, 12 ns |
| время спада | 18 ns, 12 ns |
| Ширина | 1.6 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
