QS5U17TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 2A (Ta) 900 мВт (Ta) поверхностный монтаж TSMT5
Вес и габариты
base product numberQS5U17 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c2A (Ta)
длина2.9 mm
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 2A (Ta) 900 мВт (Ta) поверхностный монтаж TSMT5
Вес и габариты
base product numberQS5U17 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c2A (Ta)
длина2.9 mm
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)2.5V, 4.5V
другие названия товара №QS5U17
eccnEAR99
fet featureSchottky Diode (Isolated)
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs3.9nC @ 4.5V
Высота 0.85 мм
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки2 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds175pF @ 10V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
pd - рассеивание мощности1.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)900mW (Ta)
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток100 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияQS5U17
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageTSMT5
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения21 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTSMT-5
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs (max)В±12V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 1mA
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания10 ns
время спада10 ns
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль