QS5U13TR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 2A (Ta) 1,25W (Ta) Монтаж на поверхность TSMT5
| Вес и габариты | |
| base product number | QS5U13 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 2A (Ta) |
| длина | 2.9 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 30V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.5V, 4.5V |
| другие названия товара № | QS5U13 |
| eccn | EAR99 |
| fet feature | Schottky Diode (Isolated) |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| Высота | 0.85 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 175pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 50 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| other related documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 1.25W (Ta) |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| qg - заряд затвора | 3.9 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | QS5U13 |
| simulation models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| supplier device package | TSMT5 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 8 ns |
| типичное время задержки выключения | 21 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Тип | MOSFET |
| упаковка / блок | TSMT-5 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs (max) | В±12V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 10 ns |
| время спада | 10 ns |
| Ширина | 1.6 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26