QH8MA3TCR, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 7 А, 0.022 Ом, TSMT, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: QH8MA3TCR
МОП-транзистор 30V N+P Ch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №QH8MA3
id - непрерывный ток утечки7 A, 5.5 A
канальный режимEnhancement
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 30V N+P Ch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №QH8MA3
id - непрерывный ток утечки7 A, 5.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.2.7 S, 3.3 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel, P-Channel
qg - заряд затвора7.2 nC, 10 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток22 mOhms, 37 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7.2 ns, 8 ns
типичное время задержки выключения12 ns, 40 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г5.577
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V, 2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns, 12 ns
время спада5.7 ns, 20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль