QH8KA4TCR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30 В, 9 А, 1,5 Вт, поверхностный монтаж TSMT8
Вес и габариты
base product numberQH8KA4 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c9A
drain to source voltage (vdss)30V
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30 В, 9 А, 1,5 Вт, поверхностный монтаж TSMT8
Вес и габариты
base product numberQH8KA4 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c9A
drain to source voltage (vdss)30V
eccnEAR99
fet type2 N-Channel (Dual)
gate charge (qg) (max) @ vgs12nC @ 4.5V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds1400pF @ 10V
количество выводов8вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)4.5В
непрерывный ток стока
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-SMD, Flat Lead
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs1.5В
power - max1.5W
рассеиваемая мощность1.5Вт
rds on (max) @ id, vgs17mOhm @ 7A, 4.5V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0125Ом
стиль корпуса транзистораTSMT
supplier device packageTSMT8
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль