QH8KA2TCR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Nch+Nch Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №QH8KA2
id - непрерывный ток утечки4.5 A
канальный режимEnhancement
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Nch+Nch Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №QH8KA2
id - непрерывный ток утечки4.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.4 S, 1.4 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
pd - рассеивание мощности1.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора8.4 nC, 8.4 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток25 mOhms, 25 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7.2 ns, 7.2 ns
типичное время задержки выключения12 ns, 12 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns, 8 ns
время спада5.7 ns, 5.7 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль