NVMFS6H864NWFT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор T8 80V SO8FL
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки23 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор T8 80V SO8FL
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки23 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.21.8 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности33 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора6.9 nC
размер фабричной упаковки1500
rds вкл - сопротивление сток-исток32 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения16 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
вес, г0.1072
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания18 ns
время спада13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль