NVMFS5C442NLT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки130 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки130 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.116 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности83 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора50 nC
размер фабричной упаковки1500
rds вкл - сопротивление сток-исток2 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения28 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSO-FL-8
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
вес, г0.1072
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания72 ns
время спада8.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль