NVJS4151PT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 20V 4.2A 60MOHM PFET
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки3.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 20V 4.2A 60MOHM PFET
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки3.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.12 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора10 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток55 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении850 ns
типичное время задержки выключения2.7 us
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-363-6
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания1.7 us
время спада4.2 us
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль