NVHL110N65S3F, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 30 А, 0.093 Ом, TO-247, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NVHL110N65S3F
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO247
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки
30 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
коммерческое обозначение
SuperFET III
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
17 S
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
240 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
58 nC
размер фабричной упаковки
450
rds вкл - сопротивление сток-исток
110 mOhms
серия
SuperFET3
технология
Si
типичное время задержки при включении
29 ns
типичное время задержки выключения
61 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
вес, г
1.361
vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
вид монтажа
Through Hole
время нарастания
32 ns
время спада
16 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26