NVF5P03T3G, MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NVF5P03T3G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
| Вес и габариты | |
| channel mode: | Enhancement |
| configuration: | Single |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 4000 |
| fall time: | 10 ns |
| forward transconductance - min: | 3.9 S |
| id - continuous drain current: | 5.2 A |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | SMD/SMT |
| number of channels: | 1 Channel |
| package/case: | SOT-223-3 |
| packaging: | Reel, Cut Tape, MouseReel |
| pd - power dissipation: | 3.13 W |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| qg - gate charge: | 15 nC |
| qualification: | AEC-Q101 |
| rds on - drain-source resistance: | 107 mOhms |
| rise time: | 33 ns |
| series: | NTF5P03 |
| subcategory: | MOSFETs |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | P-Channel |
| transistor type: | 1 P-Channel |
| typical turn-off delay time: | 38 ns |
| typical turn-on delay time: | 10 ns |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 30 V |
| вес, г | 0.25 |
| vgs - gate-source voltage: | -20 V, +20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 1.75 V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26