NVD5C688NLT4G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 17 А, 0.0228 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NVD5C688NLT4G
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0228Ом
количество выводов3вывод(-ов)
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0228Ом
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока17А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs2.1В
power dissipation18Вт
рассеиваемая мощность18Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0228Ом
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль