Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0228Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

340 ₽

- +

Бонус: 6.8 !

Бонусная программа

Итого: 340 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0228Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	60В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	17А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2.1В
power dissipation	18Вт
рассеиваемая мощность	18Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0228Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	0.43

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

NVD5C688NLT4G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 17 А, 0.0228 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Moun