NVB190N65S3F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SUPERFET3 650V FRFET,190M
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
1 230
+
Бонус: 24.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SUPERFET3 650V FRFET,190M
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеSuperFET III
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности162 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора34 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток190 mOhms
серияSuperFET3
технологияSi
типичное время задержки при включении19 ns
типичное время задержки выключения43 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г1.485
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns
время спада3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль