NVB150N65S3F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V FRFET,150M
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки24 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
1 260
+
Бонус: 25.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V FRFET,150M
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки24 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.14 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности192 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора43 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток150 mOhms
серияSuperFET3
технологияSi
типичное время задержки при включении21 ns
типичное время задержки выключения53 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г1.485
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns
время спада3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль