NVB082N65S3F, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 40 А, 0.064 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NVB082N65S3F
Обзор
МОП-транзистор Single N-Channel Power МОП-транзистор SUPERFET III, FRFET , 650 V , 40 A, 82 mO, D2PAK
Характеристики
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки
40 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
коммерческое обозначение
SuperFET III
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
24 S
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
313 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
81 nC
размер фабричной упаковки
800
rds вкл - сопротивление сток-исток
82 mOhms
серия
SuperFET3
технология
Si
типичное время задержки при включении
31 ns
типичное время задержки выключения
76 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
D2PAK-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
29 ns
время спада
16 ns
Отзывов нет
Реквизиты
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26