NTZD3154NT1G, Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 540мА, 250мВт, SOT563 (NTZD3154NT1G) — купить | ООО «Телеметрия» 


NTZD3154NT1G, Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 540мА, 250мВт, SOT563

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTZD3154NT1G
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity4000
43
- +
Бонус: 0.86 !
Бонусная программа
Итого: 43
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты

► Купить NTZD3154NT1G, Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 540мА, 250мВт, SOT563 в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Цена: 43 руб.

Почему выбирают нас:

  • ✓ Оригинальная продукция
  • ✓ Быстрая доставка по Москве и России
  • ✓ Гарантия качества
  • ✓ Консультация специалиста

Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity4000
fall time8 ns, 8 ns
forward transconductance - min1 S, 1 S
id - continuous drain current570 mA
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels2 Channel
package / caseSOT-563-6
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation280 mW
productMOSFET Small Signal
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge1.5 nC, 1.5 nC
rds on - drain-source resistance550 mOhms, 550 mOhms
rise time4 ns, 4 ns
seriesNTZD3154N
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type2 N-Channel
typical turn-off delay time16 ns, 16 ns
typical turn-on delay time6 ns, 6 ns
vds - drain-source breakdown voltage20 V
вес, г0.2
vgs - gate-source voltage4.5 V
vgs th - gate-source threshold voltage450 mV
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль