NTTFS4C08NTAG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Pwr МОП-транзистор 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки52 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Pwr МОП-транзистор 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки52 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности4.2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора35 nC
размер фабричной упаковки1500
rds вкл - сопротивление сток-исток5.9 mOhms
серияNTTFS4C08N
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокWDFN-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.017
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль