NTTFS1D2N02P1E

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V 1.2 MOHM PC33
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки180 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V 1.2 MOHM PC33
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки180 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.224 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности52 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора24 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток1 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении24.6 ns
типичное время задержки выключения38.5 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокPQFN-8
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
вес, г0.0706
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns
время спада9.8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль