NTNS3190NZT5G, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 230 мА, 0.75 Ом, XLLGA, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NTNS3190NZT5G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор NFET XLLGA3 20V 230MA 1.4
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки
224 mA
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
560 mS
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
139 mW
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
700 pC
размер фабричной упаковки
8000
rds вкл - сопротивление сток-исток
650 mOhms
технология
Si
типичное время задержки при включении
18 ns
типичное время задержки выключения
201 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
XLLGA-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
вес, г
0.024
vgs - напряжение затвор-исток
8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
35 ns
время спада
110 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26