Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор NFET XLLGA6 20V 200M

Подробное описание

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	200 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Dual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	480 mS, 480 mS
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	166 mW
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
размер фабричной упаковки	8000
rds вкл - сопротивление сток-исток	800 mOhms, 800 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	16.5 ns, 16.5 ns
типичное время задержки выключения	142 ns, 142 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	2 N-Channel
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка / блок	XLLGA-6
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
вес, г	0.0007
vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	25.5 ns, 25.5 ns
время спада	80 ns, 80 ns

Отзывов нет

Кнопки

NTND31015NZTAG