NTMYS011N04CTWG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки35 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
810
+
Бонус: 16.2 !
Бонусная программа
Итого: 810
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки35 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.111 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности28 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора7.9 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения16 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокLFPAK-4
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
вес, г0.075
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания16 ns
время спада5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль