NTMS5P02R2G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time90 ns, 55 ns
forward transconductance - min15 S
id - continuous drain current5.4 A
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSOIC-8
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation2.5 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance26 mOhms
rise time70 ns, 25 ns
seriesNTMS5P02
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typeMOSFET
typical turn-off delay time65 ns, 70 ns
typical turn-on delay time22 ns, 18 ns
vds - drain-source breakdown voltage20 V
вес, г0.187
vgs - gate-source voltage10 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль