NTMS4916NR2G, Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC N T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTMS4916NR2G
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle Quad Drain Triple Source
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.29.00.95
lead shapeGull-wing
maximum continuous drain current (a)11.6
maximum drain source resistance (mohm)9@10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±20
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1980
militaryNo
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
package height1.5(Max)
package length5(Max)
package width4(Max)
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed8
pin count8
product categoryPower MOSFET
standard package nameSOP
supplier packageSOIC N
typical fall time (ns)15.6
typical gate charge @ 10v (nc)28
typical gate charge @ vgs (nc)15@4.5V|28@10V
typical input capacitance @ vds (pf)1376@25V
typical rise time (ns)7.4
typical turn-off delay time (ns)32
typical turn-on delay time (ns)9.4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль