NTMFS5H414NLT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор T8 40V LOW COSS POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0011Ом
id - непрерывный ток утечки210 A
1 660
+
Бонус: 33.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 660
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор T8 40V LOW COSS POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0011Ом
id - непрерывный ток утечки210 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов5вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds40В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока210А
pd - рассеивание мощности110 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs1.55В
power dissipation110Вт
qg - заряд затвора75 nC
рассеиваемая мощность110Вт
размер фабричной упаковки1500
rds вкл - сопротивление сток-исток1.1 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0011Ом
стиль корпуса транзистораDFN
технологияSi
типичное время задержки при включении15.2 ns
типичное время задержки выключения38.8 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSO-8FL
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания52.3 ns
время спада11.6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль