Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор T8 40V LOW COSS POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
channel type
N Channel
drain source on state resistance
0.0011Ом
id - непрерывный ток утечки
210 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
количество выводов
5вывод(-ов)
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
монтаж транзистора
Surface Mount
напряжение истока-стока vds
40В
напряжение измерения rds(on)
10В
непрерывный ток стока
210А
pd - рассеивание мощности
110 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
пороговое напряжение vgs
1.55В
power dissipation
110Вт
qg - заряд затвора
75 nC
рассеиваемая мощность
110Вт
размер фабричной упаковки
1500
rds вкл - сопротивление сток-исток
1.1 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)
0.0011Ом
стиль корпуса транзистора
DFN
технология
Si
типичное время задержки при включении
15.2 ns
типичное время задержки выключения
38.8 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
SO-8FL
vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
52.3 ns
время спада
11.6 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26