NTMFS5H414NLT1G, NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-F (NTMFS5H414NLT1G) — купить | ООО «Телеметрия» 
Валюта:RUB
RUBUSDEURCNY

+7 929 433 4445 B2B Заявки на email

telemetrya@yandex.ru

0
Смотрели
Войти
0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!

NTMFS5H414NLT1G, NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTMFS5H414NLT1G
NTMFS5H414NLT1G, NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FNTMFS5H414NLT1G, NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-F
МОП-транзистор T8 40V LOW COSS POWER МОП-транзистор
Подробное описание
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0011Ом
id - непрерывный ток утечки210 A
Все характеристики
360 ₽
- +
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360 ₽
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор T8 40V LOW COSS POWER МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0011Ом
id - непрерывный ток утечки210 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов5вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds40В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока210А
pd - рассеивание мощности110 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs1.55В
power dissipation110Вт
qg - заряд затвора75 nC
рассеиваемая мощность110Вт
размер фабричной упаковки1500
rds вкл - сопротивление сток-исток1.1 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0011Ом
стиль корпуса транзистораDFN
технологияSi
типичное время задержки при включении15.2 ns
типичное время задержки выключения38.8 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSO-8FL
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания52.3 ns
время спада11.6 ns
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
  • Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
    Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
    ИНН 7536172565
    КПП 381201001
    ОГРН 1187536004215
    Расчетный счет 40702810010000426573
    Банк АО «Тинькофф Банк»
    БИК банка 044525974
    ИНН банка 7710140679
    Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
    Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

    • Кнопки
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
0Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0Избранное
Товар добавлен в список избранных
Профиль