NTMD3P03R2G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 3.05A P-Channel
Вес и габариты
длина5 mm
Высота 1.5 мм
id - непрерывный ток утечки3.05 A
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 3.05A P-Channel
Вес и габариты
длина5 mm
Высота 1.5 мм
id - непрерывный ток утечки3.05 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
серияNTMD3P03
технологияSi
типичное время задержки при включении16 ns, 12 ns
типичное время задержки выключения32 ns, 45 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor
ТипMOSFET
упаковка / блокSOIC-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.187
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания42 ns, 16 ns
время спада35 ns, 45 ns
Ширина4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль