NTLJS3D0N02P8ZTAG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PT8 20V WDFN POWER CLIP
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PT8 20V WDFN POWER CLIP
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.80 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.4 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора21 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток3.8 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении14 ns
типичное время задержки выключения54 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокWDFN-6
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток700 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания22 ns
время спада46 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль