NTHD4P02FT1G, Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NTHD4P02FT1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
Вес и габариты
длина
3.05 mm
Высота
1.05 мм
id - непрерывный ток утечки
3 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single with Schottky Diode
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
5 S
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
1.1 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
P-Channel
продукт
MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки
3000
rds вкл - сопротивление сток-исток
200 mOhms
серия
NTHD4P02
технология
Si
типичное время задержки при включении
7 ns
типичное время задержки выключения
33 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 P-Channel
торговая марка
ON Semiconductor
Тип
MOSFET
упаковка / блок
ChipFET-8
vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
vgs - напряжение затвор-исток
12 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
13 ns
время спада
13 ns
Ширина
1.65 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26