NTHD4P02FT1G, Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTHD4P02FT1G
МОП-транзистор -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
Вес и габариты
длина3.05 mm
Высота 1.05 мм
id - непрерывный ток утечки3 A
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
Вес и габариты
длина3.05 mm
Высота 1.05 мм
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle with Schottky Diode
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
серияNTHD4P02
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения33 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor
ТипMOSFET
упаковка / блокChipFET-8
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns
время спада13 ns
Ширина1.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль