NTHD3100CT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V +3.9A/-4.4A Complementary
Вес и габариты
длина3.05 mm
Высота 1.05 мм
id - непрерывный ток утечки3.9 A, 3.2 A
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V +3.9A/-4.4A Complementary
Вес и габариты
длина3.05 mm
Высота 1.05 мм
id - непрерывный ток утечки3.9 A, 3.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6 S, 8 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3.1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel, P-Channel
продуктMOSFET Small Signal
qg - заряд затвора2.3 nC, 7.4 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms, 110 mOhms
серияNTHD3100C
технологияSi
типичное время задержки при включении6.3 ns, 5.8 ns
типичное время задержки выключения9.6 ns, 16 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor
ТипMOSFET
упаковка / блокChipFET-8
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
вес, г0.085
vgs - напряжение затвор-исток4.5 V, - 2.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV, 450 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания10.7 ns, 11.7 ns
время спада1.5 ns, 12.4 ns
Ширина1.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль