NTHC5513T1G
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V +3.9A/-3A Complementary
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | P|N |
| configuration | Dual Dual Drain |
| длина | 3.05 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| Высота | 1.05 мм |
| hts | 8541.29.00.95 |
| id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 2 Channel |
| конфигурация | Dual |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 6 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 2.2@P Channel|2.9@N Channel |
| maximum drain source resistance (mohm) | 155@4.5V@P Channel|80@4.5V@N Channel |
| maximum drain source voltage (v) | 20 |
| maximum gate source voltage (v) | ±12 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 1100 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| number of elements per chip | 2 |
| package height | 1.05 |
| package length | 3.05 |
| package width | 1.65 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| pin count | 8 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| product category | Power MOSFET |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| qg - заряд затвора | 4 nC, 6 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms, 155 mOhms |
| серия | NTHC5513 |
| standard package name | Chip FET |
| supplier package | Chip FET |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 5 ns, 7 ns |
| типичное время задержки выключения | 10 ns, 33 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| Тип | MOSFET |
| typical fall time (ns) | 3@N Channel|27@P Channel |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 3@4.5V@P Channel|2.6@4.5V@N Channel |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 185@10V@P Channel|180@10V@N Channel |
| typical rise time (ns) | 9@N Channel|13@P Channel |
| typical turn-off delay time (ns) | 10@N Channel|33@P Channel |
| typical turn-on delay time (ns) | 7@P Channel|5@N Channel |
| упаковка / блок | ChipFET-8 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| вес, г | 0.085 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV, 1.2 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 9 ns, 13 ns |
| время спада | 3 ns, 27 ns |
| Ширина | 1.65 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26