NTD6416ANT4G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 17 А, 0.073 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTD6416ANT4G
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe NTD6416ANT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 17A continuous drain current. • Lower RDS (ON)• High current capability• 100% Avalanche tested• -55 to 175°C Operating junction temperature range
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.073Ом
количество выводов3вывод(-ов)
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe NTD6416ANT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 17A continuous drain current.
• Lower RDS (ON)• High current capability• 100% Avalanche tested• -55 to 175°C Operating junction temperature range
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.073Ом
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока17А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation71Вт
рассеиваемая мощность71Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.073Ом
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль